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簡(jiǎn)要描述：中圖儀器WD4000晶圓表面形貌檢測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。通過非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-03-09訪 問 量：1022產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 中圖儀器 | 產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 加工定制 | 否 |
中圖儀器WD4000晶圓表面形貌檢測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。通過非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測(cè)量
集成厚度測(cè)量模組和三維形貌、粗糙度測(cè)量模組，使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測(cè)量。
2、高精度厚度測(cè)量技術(shù)
（1）采用高分辨率光譜共焦對(duì)射技術(shù)對(duì)Wafer進(jìn)行高效掃描。
（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤，晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。
（3）采用Mapping跟隨技術(shù)，可編程包含多點(diǎn)、線、面的自動(dòng)測(cè)量。
3、高精度三維形貌測(cè)量技術(shù)
（1）采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；
（2）隔振設(shè)計(jì)降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲，獲得高測(cè)量重復(fù)性。
（3）機(jī)器視覺技術(shù)檢測(cè)圖像Mark點(diǎn)，虛擬夾具擺正樣品，可對(duì)多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續(xù)測(cè)量。
4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺(tái)
（1）大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm)，移動(dòng)速度500mm/s。
（2）高精度花崗巖基座和橫梁，整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠。
（3）關(guān)鍵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng)，保證設(shè)備的高精度、高效率。
5、操作簡(jiǎn)單、輕松無憂
（1）集成XYZ三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄，可快速完成載物臺(tái)平移、Z向聚焦等測(cè)量前準(zhǔn)工作。
（2）具備雙重防撞設(shè)計(jì)，避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測(cè)物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。
（3）具備電動(dòng)物鏡切換功能，讓觀察變得快速和簡(jiǎn)單。
可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)?？蓽y(cè)各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D、3D參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量
通過非接觸測(cè)量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測(cè)量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm，測(cè)量穩(wěn)定性良好。
懇請(qǐng)注意：因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請(qǐng)諒解。
WD4000晶圓表面形貌檢測(cè)設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應(yīng)表面形貌的參數(shù)。
| 型號(hào) | WD4200 |
| 厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng) | |
| 可測(cè)材料 | 砷化鎵 、氮化鎵 、磷化 鎵、鍺、磷化銦、鈮 酸 鋰 、藍(lán)寶石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等 |
| 測(cè)量范圍 | 150μm~2000μm |
| 測(cè)量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化) 、LTV 、BOW、WARP 、平面度、線粗糙度 |
| 三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng) | |
| 測(cè)量原理 | 白光干涉 |
| 測(cè)量視場(chǎng) | 0.96mm×0.96mm |
| 可測(cè)樣品反射率 | 0.05%~ 100% |
| 測(cè)量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大 類300余種參數(shù) |
| 系統(tǒng)規(guī)格 | |
| 晶圓尺寸 | 4" 、6" 、8" 、 12" |
| 晶圓載臺(tái) | 防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái) |
| X/Y/Z工作臺(tái)行程 | 400mm/400mm/75mm |
| 工作臺(tái)負(fù)載 | ≤5kg |
| 外形尺寸 | 1500× 1500×2000mm |
| 總重量 | 約 2000kg |
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